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Mitsubishi Electric desenvolve tecnologia de simulação de circuito de alta precisão para este MOSFET de carboneto de silício 2020-07-11

Mitsubishi Electric desenvolve circuito de alta precisão


Tecnologia de simulação para este MOSFET de carboneto de silício





Recentemente, na exposição PCIM Europe 2020 realizada online, a Mitsubishi Electric anunciou o desenvolvimento de um modelo de programa de simulação geral de circuito integrado (SPICE) altamente preciso para analisar os circuitos eletrônicos de semicondutores discretos/dispositivos de energia.



A Mitsubishi disse que a forma de onda de comutação de alta velocidade simulada pelo modelo é quase igual ao resultado real da medição. Esta precisão é atualmente inigualável por outras tecnologias na indústria, e espera-se trazer um design de circuito mais eficiente para o conversor de energia.



Ao mesmo tempo, a Mitsubishi Electric também planeja continuar adicionando vários parâmetros relacionados à temperatura, para que o modelo SPICE também possa operar normalmente em altas temperaturas.


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